2G(3x2”, 1x4”), 3G(6x2”, 1x6”), 4G(14x2”, 3x4”)
securing crack-free AlN (essential for Deep UV)
Maximizing dislocation bending through fast gas switching
enables multi-layer growth
Surface Roughness(RMS): 0.3nm @ 2x2um
Po 25~32mW @ 100mA & Over 10khr @ L70 (2626mil)
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